一、半導體的基礎知識

1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。

2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導體----純凈的具有單晶體結構的半導體。

4. 兩種載流子 ----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統稱為載流子。

5.雜質半導體----在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現的是半導體的摻雜特性。

*P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。

6. 雜質半導體的特性

　*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。

　*體電阻---通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。

　*轉型---通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。

7. PN結

* PN結的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。

* PN結的單向導電性---正偏導通，反偏截止。

8. PN結的伏安特性

二、半導體二極管

*單向導電性------正向導通，反向截止。

*二極管伏安特性----同ＰＮ結。

*正向導通壓降------硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。

*死區電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:

若 V陽 >V陰( 正偏 )，二極管導通(短路)；

若 V陽

1）圖解分析法

該式與伏安特性曲線的交點叫靜態工作點Q。

2) 等效電路法-直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:

若 V陽 >V陰( 正偏 )，二極管導通(短路)；

若 V陽

*三種模型

微變等效電路法

三、穩壓二極管及其穩壓電路

*穩壓二極管的特性---正常工作時處在PN結的反向擊穿區，所以穩壓二極管在電路中要反向連接。