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ASEMI半導體肖特基二極管MBR1060CT

文章出處：鼎芯科技文章編輯：李航人氣：-發表時間：2015-11-06 00:00:00【大中小】

摘要 : 肖特基二極管其不同于傳統的PN結結構的二極管，而是采用金屬—半導體結構，這種結構可以大大減少二極管的壓降，我們以MBR1060CT為例來介紹一下，首先我們先看一下它的參數和封裝，然后我們說明一下它芯片的優勢

ASEMI半導體肖特基二極管MBR1060CT導讀

肖特基二極管其不同于傳統的PN結結構的二極管，而是采用金屬—半導體結構，這種結構可以大大減少二極管的壓降，我們以MBR1060CT為例來介紹一下，首先我們先看一下它的參數和封裝，然后我們說明一下它芯片的優勢：

ASEMI半導體MBR1060CT性能及優勢

MBR1060CT正向整流10A，反應耐壓60V，正向壓降0.58V，其采用高性能擴散高抗沖擊芯片，這種芯片性能穩定，高散熱性，高抗沖擊力，肖特基二極管采用無氧銅框架，導電性能好，散熱性比高，采用密封黑膠，導熱性能好，散熱性好，ASEMI半導體擁有的生產設備，和完善的生產管控流程，全自動一體化生產線，從芯片生產到成品焊接，采用智能化產線，健鼎一體化測試設備保障出廠的產品的合格率。